• STF10N60M2 असतत सेमीकंडक्टर, 600V TO-220FP MOSFET N-CH
STF10N60M2 असतत सेमीकंडक्टर, 600V TO-220FP MOSFET N-CH

STF10N60M2 असतत सेमीकंडक्टर, 600V TO-220FP MOSFET N-CH

उत्पाद विवरण:

मॉडल संख्या: एसटीएफ10एन60एम2

भुगतान & नौवहन नियमों:

पैकेजिंग विवरण: टेप और रील (TR)
प्रसव के समय: 1-2 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें: डी/ए, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन
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विस्तार जानकारी

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस): 600 वी बिजली अपव्यय (अधिकतम): 25W (टीसी)
पैकेज / मामला: TO-220-3 पूर्ण पैक माउन्टिंग का प्रकार: छेद के माध्यम से
पैकेजिंग: नली आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज: TO-220FP
प्रमुखता से दिखाना:

STF10N60M2 असतत सेमीकंडक्टर

,

600V MOSFET N-CH

,

TO-220FP MOSFET N-CH

उत्पाद विवरण

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वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 250µA
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू): 10 वी
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: सीसा रहित / RoHS अनुरूप
विस्तृत विवरण: एन-चैनल 600V 7.5A (Tc) 25W (Tc) छेद से TO-220FP
नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL): 1 (असीमित)
एफईटी प्रकार: n- चैनल
शृंखला: एमडीमेश ™ II प्लस
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस: 7.5ए (टीसी)
अन्य नामों: 497-13945-5 एसटीएफ10एन60एम2-एनडी
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds: 400pF @ 100V
वीजीएस (अधिकतम): ± 25 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 600 एमओएचएम @ 4ए, 10वी
तकनीकी: MOSFET (धातु ऑक्साइड)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस: 13.5 एनसी @ 10 वी
परिचालन तापमान: -55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)

आम समस्या

हम ग्राहकों को उच्च गुणवत्ता वाले उत्पाद और सेवाएं प्रदान करने के लिए प्रतिबद्ध हैं।
क्यू: पूछताछ / आदेश कैसे करें
एसटीएफ10N60M2?
ए: कृपया "सर्वश्रेष्ठ मूल्य प्राप्त करें" पर क्लिक करें और फिर "सबमिट" पर क्लिक करें। अनुरोध उद्धरण।
क्यू: जांच / आदेश
एसटीएफ10N60M2, मुझे कब तक जवाब मिल सकता है?
ए: जानकारी प्राप्त करने के बाद, हम जितनी जल्दी हो सके आपसे ईमेल द्वारा संपर्क करेंगे।
प्रश्न: ऑर्डर करने के बाद भुगतान कैसे करें
एसटीएफ10N60M2?
ए: हम टी / टी (बैंक वायर), पेपैल, वेस्टर्न यूनियन स्वीकार करते हैं।

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