• PZU3.3DB2,115 असतत सेमीकंडक्टर सरफेस माउंटेड डायोड
PZU3.3DB2,115 असतत सेमीकंडक्टर सरफेस माउंटेड डायोड

PZU3.3DB2,115 असतत सेमीकंडक्टर सरफेस माउंटेड डायोड

उत्पाद विवरण:

मॉडल संख्या: PZU3.3DB2,115

भुगतान & नौवहन नियमों:

पैकेजिंग विवरण: टेप और रील (टीआर)
प्रसव के समय: 1-2 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें: डी/ए, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन
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विस्तार जानकारी

सहनशीलता:: ± 2% पैकेज / मामला:: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
माउन्टिंग का प्रकार:: माउंट सतह पैकेजिंग:: टेप और रील (टीआर)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:: 5-टीएसएसओपी विन्यास:: 2 स्वतंत्र
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:: लीड मुक्त / RoHS आज्ञाकारी विस्तृत विवरण:: जेनर डायोड एरे 2 स्वतंत्र 3.3V 250mW ± 2% 5-TSSOP
वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर:: 900mV @ 10mA शक्ति - अधिकतम:: 250mW
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:: 5μA @ 1V नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल):: 1 (असीमित)
प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt):: 95 ओहम्स आधार भाग संख्या:: PZU3V3DB
दुसरे नाम:: 934061532115 PZU3.3DB2 T/R PZU3.3DB2 T/R-ND परिचालन तापमान:: -55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस
वोल्टेज - जेनर (Nom) (Vz):: 3.3
प्रमुखता से दिखाना:

PZU3.3DB2 115 असतत सेमीकंडक्टर

,

250mW असतत सेमीकंडक्टर

,

सतह पर चढ़कर डायोड सेमीकंडक्टर

उत्पाद विवरण

PZU3.3DB2,115

 

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